Datasheet下载- 型号： BLF2425M7L250P,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF2425M7L250P,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF2425M7L250P,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF2425M7L250P,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF2425M7L250P,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF2425M7L250P,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF2425M7L250P,112是Ampleon USA Inc.推出的一款高性能射频MOSFET晶体管，主要用于700–3800 MHz频率范围内的射频功率放大应用。该器件采用先进的LDMOS技术，具备高效率、高增益和出色的热稳定性，适用于基站通信系统中的多载波功率放大器设计。 典型应用场景包括：4G LTE和5G移动通信基础设施的宏蜂窝基站、远程无线头端（Remote Radio Head, RRH）以及分布式天线系统（DAS）。其高输出功率（可达250W）和优异的线性性能，使其在处理复杂调制信号时仍能保持低失真，满足现代通信对高数据速率和频谱效率的要求。 此外，该器件也适用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量应用，如射频加热、等离子生成等需要高稳定性和可靠性的场合。内置的静电放电（ESD）保护和坚固的封装设计增强了其在恶劣环境下的耐用性，适合长期连续运行。 综上，BLF2425M7L250P,112广泛应用于现代无线通信基础设施和工业射频能源领域，是一款兼顾高性能与可靠性的关键射频功率放大元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF POWER LDMOST |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF2425M7L250P,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT539A |
| 其它名称 | 934065978112 |
| 功率-输出 | 250W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | SOT539A |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 60 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 28V |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | 2.4GHz ~ 2.5GHz |
| 额定电流 | - |
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