【未分类_MRFE6VP100HSR5】封装/厂家_MRFE6VP100HSR5中文资料_价格

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型号： MRFE6VP100HSR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6VP100HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6VP100HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6VP100HSR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRFE6VP100HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6VP100HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc.生产的MRFE6VP100HSR5是一款射频功率晶体管，属于FET（场效应晶体管）中的MOSFET类别。该型号专为高频、高功率射频应用设计，广泛应用于以下场景：

1. 无线通信基站  
   MRFE6VP100HSR5适用于蜂窝通信基站的射频功率放大器（RF PA）。它能够提供高效的功率输出，支持如GSM、CDMA、WCDMA和LTE等通信标准，满足基站对高可靠性和大功率的需求。

2. 广播系统  
   该器件可用于AM/FM广播发射机的射频功率放大器中，提供稳定的功率输出和良好的线性性能，确保广播信号的高质量传输。

3. 工业、科学与医疗（ISM）设备  
   在ISM频段的应用中，例如微波加热设备、射频等离子体发生器或医疗成像设备，MRFE6VP100HSR5可作为核心功率放大组件，提供高效且稳定的射频能量。

4. 航空航天与国防  
   该型号适合雷达系统、卫星通信和电子战设备中的射频功率放大器。其高效率和可靠性使其能够在极端环境下保持稳定运行。

5. 测试与测量设备  
   在高性能射频测试仪器中，如信号发生器或频谱分析仪，MRFE6VP100HSR5可以用于功率放大模块，提供精确的射频信号输出。

 特性优势
- 高功率密度：支持高达数百瓦的射频输出功率。
- 宽频带覆盖：适用于多种射频频率范围，满足不同应用场景需求。
- 高效率：优化的Doherty架构设计，降低能耗并提升整体效率。
- 优异的线性度：减少失真，确保信号质量。
- 耐用性强：采用先进的封装技术，具备良好的散热性能和抗热冲击能力。

综上，MRFE6VP100HSR5凭借其卓越的性能和可靠性，成为射频功率放大领域的重要选择，适用于需要高功率、高效率和高稳定性的各种射频应用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS RF H-CH FET LDMOS NI780
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRFE6VP100HSR5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780HS-4
功率-输出	100W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	26dB
封装/外壳	NI-780HS-4
晶体管类型	LDMOS
标准包装	50
电压-测试	50V
电压-额定	133V
电流-测试	100mA
频率	1.8MHz ~ 2GHz
额定电流	-