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Datasheet下载- 型号： 2SK3756(TE12L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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2SK3756(TE12L,F)产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3756(TE12L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3756(TE12L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK3756(TE12L,F)封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道 4.5V 200mA 470MHz 12dB 32dBm SC-62。您可以下载2SK3756(TE12L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK3756(TE12L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为2SK3756（TE12L,F）的场效应晶体管（MOSFET），由Toshiba Semiconductor and Storage生产，属于射频（RF）MOSFET类别。该器件主要用于高频信号处理和射频功率放大应用。 应用场景包括： 1. 无线通信系统：适用于Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等短距离无线通信模块中的射频信号放大。 2. 射频功率放大器：在无线发射设备中作为末级或中间级功率放大器，提升信号强度。 3. CATV系统（有线电视网络）：用于有线电视信号的传输与分配系统中，进行高频信号放大。 4. 测试与测量仪器：如频谱分析仪、信号发生器等设备中的射频信号处理部分。 5. 工业控制及传感器系统：用于高频感应或非接触式传感系统的信号放大和调制。 6. 广播设备：如FM广播发射机中的射频输出级。 该MOSFET具备良好的高频特性，适合工作在数百MHz至GHz级别频率范围，具有较高的增益和较低的噪声系数，适合对性能要求较高的射频前端设计。其封装形式（如SOT-323等）也便于表面贴装，适用于高密度PCB布局。 综上，2SK3756(TE12L,F) 主要应用于各类射频通信与信号处理设备中，是实现高效、稳定射频信号放大的关键元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH PW-MINI |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 2SK3756(TE12L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SC-62 |
| 其它名称 | 2SK3756(TE12LF)CT |
| 功率-输出 | 32dBm |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 12dB |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 4.5V |
| 电压-额定 | 7.5V |
| 电流-测试 | 200mA |
| 频率 | 470MHz |
| 额定电流 | 1A |
