| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BF545A,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF545A,215价格参考。NXP SemiconductorsBF545A,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BF545A,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BF545A,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BF545A,215 是由 NXP USA Inc. 生产的一款射频场效应晶体管(RF FET),属于晶体管 - FET、MOSFET - 射频类别。该器件为N沟道硅结型场效应管(JFET),具有低噪声和高增益特性,适用于高频信号放大场景。 其主要应用场景包括: 1. 射频放大器:广泛用于甚高频(VHF)和特高频(UHF)频段的小信号放大,如电视接收机、调频收音机和无线通信设备中的前置放大电路。 2. 低噪声放大(LNA):由于其低噪声系数,适合在接收系统前端使用,提升弱信号接收灵敏度,常见于广播、业余无线电和监测设备中。 3. 宽带放大电路:可用于宽频带信号处理系统,支持多频道信号放大,适用于测试仪器和信号中继设备。 4. 消费类电子与工业设备:应用于有线电视分配系统、天线信号增强器及小型无线传输模块等。 BF545A,215 采用SOT-23封装,体积小,便于在紧凑型电路板上布局,适合对空间要求较高的便携式设备。其稳定的高频性能和可靠性使其成为模拟射频设计中的常用元件。使用时需注意工作电压和偏置电路的匹配,以确保最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10MA SOT23射频JFET晶体管 JFET N-CH 30V 10mA |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.5 mA |
| Id-连续漏极电流 | 6.5 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,NXP Semiconductors BF545A,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BF545A,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 30 V |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-6163-6 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | N 通道 JFET |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极连续电流 | 6.5 mA |
| 漏源电压VDS | 30 V |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | 30V |
| 电流-测试 | - |
| 类型 | Silicon |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 30 V |
| 零件号别名 | BF545A T/R |
| 频率 | - |
| 额定电流 | 6.5mA |