Datasheet下载- 型号： PD57060-E
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD57060-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD57060-E价格参考。STMicroelectronicsPD57060-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PD57060-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD57060-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）生产的PD57060-E是一款射频MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），属于RF功率晶体管类别，主要应用于高频、高效率的射频功率放大场景。 该器件典型应用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频系统中，工作频率范围通常在13.56 MHz至27.12 MHz之间，适用于感应加热、射频能量应用、等离子发生器以及小型化射频电源模块。由于其具备高增益、良好的热稳定性和较高的效率，PD57060-E也常用于低功率射频放大器设计，如射频激励器、驱动级放大器等。 此外，PD57060-E采用紧凑型封装，便于集成于空间受限的设备中，适合对尺寸和散热有要求的应用环境。其坚固的设计使其在恶劣工作条件下仍能保持可靠性能，广泛服务于医疗设备、小型焊接设备、射频识别（RFID）测试装置及实验室仪器等领域。 总之，PD57060-E是一款适用于中低功率射频放大与能量传输的高性能MOSFET，特别适合ISM频段内的多种工业与专用射频系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PD57060-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 10-PowerSO |
| 其它名称 | 497-5309-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1829/PF115440?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 60W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.3dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 945MHz |
| 额定电流 | 7A |
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