Datasheet下载- 型号： BLF6G27-10,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G27-10,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G27-10,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G27-10,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G27-10,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G27-10,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF6G27-10,112 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频功率 MOSFET 晶体管，主要用于高功率射频放大应用。该器件工作频率可达 2.7 GHz，具备高增益、高效率和出色的热稳定性，适用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频系统。 典型应用场景包括：射频能量应用，如感应加热、等离子体生成和介质加热；广播与通信基础设施中的高功率射频放大器；以及雷达系统和航空通信设备。其坚固的设计和高耐用性使其适合在严苛环境下长期稳定运行。 此外，BLF6G27-10,112 常用于4G/5G基站的后备电源或应急通信系统中的射频功率放大模块，支持脉冲和连续波（CW）操作模式。凭借优异的输出功率（可达数百瓦）和良好的失配容忍度，该器件在需要高可靠性和高能效的工业射频系统中广受青睐。 总之，BLF6G27-10,112 广泛应用于需高功率、高频率性能的射频系统，尤其适合工业加热、通信基础设施及国防电子等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC WIMAX 2.7GHZ 2-LDMOST |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF6G27-10,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM2 |
| 其它名称 | 934061844112 |
| 功率-输出 | 2W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19dB |
| 封装/外壳 | SOT-975B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 60 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 130mA |
| 频率 | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| 额定电流 | 3.5A |
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