Datasheet下载- 型号： BLL6H1214L-250,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLL6H1214L-250,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLL6H1214L-250,112价格参考。NXP SemiconductorsBLL6H1214L-250,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLL6H1214L-250,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLL6H1214L-250,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLL6H1214L-250,112 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频功率 MOSFET 晶体管，广泛应用于高功率射频系统中。该器件特别适用于工作频率在 UHF 到微波频段的通信系统，例如广播发射机、工业加热设备、等离子体发生器以及射频能量应用等场景。 该型号器件具备高功率密度、优良的热稳定性和较高的效率，能够在高电压条件下稳定工作，适合用于连续波（CW）或脉冲模式的射频功率放大器设计。其典型应用包括广播领域的调频（FM）和电视发射机、医疗射频设备、工业射频激励源以及国防和航空航天领域的高功率射频系统。 此外，由于其出色的耐用性和可靠性，BLL6H1214L-250,112 也常用于需要长时间连续运行的工业设备中，如射频等离子体刻蚀、射频感应加热、射频焊接等工艺设备中。该器件支持高效率的 D 类、E 类等开关模式放大器设计，有助于提升系统能效，降低散热需求，提高整体系统稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS L-BAND RADAR LDMOS SOT502A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLL6H1214L-250,112 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 568-7560 |
| 功率-输出 | 250W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17dB |
| 封装/外壳 | SOT-502A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 100V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 1.2GHz ~ 1.4GHz |
| 额定电流 | 42A |
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