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  • 型号: BLF6G38LS-50,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G38LS-50,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G38LS-50,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G38LS-50,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BLF6G38LS-50,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF6G38LS-50,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 的型号 BLF6G38LS-50,118 是一款射频功率 MOSFET 晶体管,主要应用于射频(RF)功率放大领域。该器件特别适用于需要高功率、高效率和高稳定性的通信系统,如广播、工业加热、等离子体生成以及医疗设备中的射频电源。

此外,BLF6G38LS-50,118 也广泛用于无线基础设施,包括蜂窝基站和广播发射机,支持多种调制格式和高数据速率传输。其高耐用性和热稳定性使其适合在严苛环境下运行,如高温度或高湿度条件。

该器件采用先进的硅技术,具备高增益、低失真和良好的热管理能力,适合在 L 波段至 UHF 波段(频率范围大约在 1 GHz 至 3 GHz)工作。其50Ω的输出阻抗匹配设计,便于集成到多种射频系统中,减少外部匹配元件的需求,提高系统设计的灵活性和可靠性。

总之,BLF6G38LS-50,118 是一款高性能射频功率 MOSFET,适用于通信、广播、工业和医疗等领域的射频功率放大应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS WIMAX PWR LDMOS SOT502B

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BLF6G38LS-50,118

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

SOT502B

其它名称

934061174118

功率-输出

9W

包装

带卷 (TR)

噪声系数

-

增益

14dB

封装/外壳

SOT-502B

晶体管类型

LDMOS

标准包装

100

电压-测试

28V

电压-额定

65V

电流-测试

450mA

频率

3.4GHz ~ 3.6GHz

额定电流

16.5A

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