Datasheet下载- 型号： MMBFJ309LT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBFJ309LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBFJ309LT1价格参考。ON SemiconductorMMBFJ309LT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBFJ309LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBFJ309LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 MMBFJ309LT1 是一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），属于射频MOSFET类别，常用于小信号射频放大和高频模拟电路中。该器件采用SOT-23小型表面贴装封装，具有低噪声、高输入阻抗和良好的频率响应特性，适合在高频环境下稳定工作。 MMBFJ309LT1 主要应用于射频前端电路，如无线通信设备中的低噪声放大器（LNA）、射频接收模块和高频信号开关电路。它广泛用于便携式通信设备，如对讲机、无线麦克风、FM收音模块、遥控装置以及各类物联网（IoT）无线终端。此外，由于其良好的线性特性和温度稳定性，也适用于音频前置放大器和传感器信号调理电路。 该器件工作电压适中，功耗低，适合电池供电的便携式电子产品。在射频设计中，MMBFJ309LT1 可替代部分双极型晶体管，提供更优的噪声性能和输入阻抗匹配能力，有助于提升系统灵敏度与信号完整性。 总之，MMBFJ309LT1 凭借其高频性能和紧凑封装，是现代小型化射频电子设备中理想的低噪声放大和信号控制元件，适用于工业控制、消费电子及通信系统中的多种射频模拟应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET SS N-CHAN 25V SOT23 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBFJ309LT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBFJ309LT1OSCT |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | N 通道 JFET |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | 25V |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | - |
| 额定电流 | 30mA |
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