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- 型号： BLF6G27-10G,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G27-10G,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G27-10G,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G27-10G,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G27-10G,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G27-10G,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF6G27-10G,118是Ampleon USA Inc.生产的一款高性能射频MOSFET晶体管，主要应用于L波段至S波段的高功率射频放大场合。该器件工作频率可达3.5 GHz，具备10W的输出功率能力，适用于连续波（CW）和脉冲模式操作，具有高增益、高效率和良好的热稳定性。 典型应用场景包括：雷达系统中的发射模块，尤其是空中交通管制（ATC）雷达、气象雷达和军用雷达；工业、科学和医疗（ISM）频段设备，如射频加热与等离子体生成；以及地面和海上通信系统的高功率射频放大器。此外，该器件也广泛用于电子战（EW）系统和测试测量设备中，作为关键的射频功率放大元件。 BLF6G27-10G,118采用先进的硅MOS工艺制造，具备出色的耐用性和抗失配能力，能够在高电压驻波比（VSWR）条件下稳定工作，适合严苛环境下的长期运行。其封装设计有利于高效散热，便于集成到风冷或传导冷却系统中。 综上所述，BLF6G27-10G,118是一款专为高可靠性、高功率射频应用设计的MOSFET，广泛服务于国防、航空、通信和工业领域，尤其适用于需要稳定、高效射频输出的关键系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS SOT975C |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G27-10G,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM2 |
| 其它名称 | 934061845118 |
| 功率-输出 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19dB |
| 封装/外壳 | SOT-975C |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 130mA |
| 频率 | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| 额定电流 | 3.5A |
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