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- 型号： MRF6P24190HR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6P24190HR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6P24190HR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF6P24190HR6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6P24190HR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6P24190HR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MRF6P24190HR6的射频MOSFET晶体管由NXP USA Inc.生产，主要应用于射频功率放大领域。该器件常用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频设备中，如射频加热、等离子体生成和射频激励光源等。此外，它也广泛应用于广播通信系统中的射频放大器，如调频广播和电视发射机。在无线通信基础设施中，如基站和中继站，该晶体管可用于增强信号覆盖和传输质量。其高功率密度和优异的热稳定性使其适合在苛刻环境中工作，如户外基站和工业控制系统。MRF6P24190HR6还适用于测试设备和测量仪器中的射频信号放大，为研发和生产提供可靠支持。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 190W NI-1230 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6P24190HR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230 |
| 功率-输出 | 40W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14dB |
| 封装/外壳 | NI-1230 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.9A |
| 频率 | 2.39GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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