【未分类_MRFE6VP6300HSR3】封装/厂家_MRFE6VP6300HSR3中文资料_价格

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型号： MRFE6VP6300HSR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6VP6300HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6VP6300HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6VP6300HSR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRFE6VP6300HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6VP6300HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc.生产的型号为MRFE6VP6300HSR3的射频晶体管（分类为FET，MOSFET - 射频）是一款高性能的LDMOS（Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor）器件，主要应用于高频射频功率放大器领域。以下是其典型应用场景：

1. 无线通信基站：该器件适用于2G、3G、4G以及部分5G低频段基站中的射频功率放大器设计。它能够提供高效率和高线性度，满足现代通信系统对信号质量的要求。

2. 广播系统：在FM/AM广播发射机中，这款MOSFET可用于实现高效能的功率放大。其出色的射频性能确保了信号覆盖范围广且失真小。

3. 工业、科学与医疗（ISM）应用：例如微波加热设备或等离子体发生器等需要高功率射频源的应用场合，MRFE6VP6300HSR3可以作为核心功率放大组件。

4. 航空电子与国防雷达系统：由于具备良好的耐热性和可靠性，此型号也适合用于航空航天及国防领域的脉冲或连续波雷达系统中，提供稳定的功率输出。

5. 测试测量仪器：在高性能频谱分析仪或其他需要大动态范围射频信号生成的测试设备里，这种LDMOS晶体管可以帮助构建高效的功率放大模块。

总之，MRFE6VP6300HSR3凭借其卓越的电气特性（如高击穿电压、低热阻、宽带操作能力等），成为众多要求苛刻的射频功率应用的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	FET RF N-CH 230MHZ 125V NI780S-4
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRFE6VP6300HSR3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780HS-4
功率-输出	300W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	26.5dB
封装/外壳	NI-780HS-4
晶体管类型	LDMOS（双）
标准包装	250
电压-测试	50V
电压-额定	125V
电流-测试	100mA
频率	230MHz
额定电流	-