【未分类_MRF275G】封装/厂家_MRF275G中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： MRF275G
制造商： M/A-COM
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF275G由M/A-COM设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF275G价格参考。M/A-COMMRF275G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF275G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF275G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

M/A-Com Technology Solutions（现为Cobham Semiconductor Solutions的一部分）生产的MRF275G是一款射频晶体管，属于FET（场效应晶体管）和MOSFET类别。该型号的应用场景主要集中在高频、高功率射频领域，具体包括以下几个方面：

1. 无线通信系统：  
   MRF275G适用于基站放大器、中继站和其他无线通信设备中的射频功率放大器设计。它能够提供高增益和高效率，满足现代通信系统对信号质量和覆盖范围的要求。

2. 广播系统：  
   在调频（FM）和电视广播中，MRF275G可以用于发射机的末级功率放大器，提供稳定的输出功率和低失真性能，确保高质量的信号传输。

3. 航空与国防：  
   该器件广泛应用于雷达、导航和军事通信系统中。其高功率处理能力和宽频带特性使其成为航空航天领域的重要组件，尤其是在需要可靠性和稳定性的环境中。

4. 工业、科学和医疗（ISM）应用：  
   MRF275G可用于ISM频段内的各种设备，如工业加热装置、等离子体发生器以及某些医疗设备中的射频电源模块。

5. 测试与测量设备：  
   在研发和生产过程中，射频测试仪器需要高性能的功率放大器来生成精确的信号。MRF275G可作为这些设备中的关键元件，支持复杂的测试场景。

总之，MRF275G凭借其优异的射频性能、高功率容量和可靠性，成为众多射频应用的理想选择，尤其在需要高效功率转换和宽带操作的场合表现突出。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	FET RF 2N-CH 28V 100MA 375-04射频MOSFET晶体管 5-500MHz 150Watts 28Volt 10dB
产品分类	RF FET分离式半导体
Id-ContinuousDrainCurrent	26 A
Id-连续漏极电流	26 A
品牌	MACOMM/A-Com Technology Solutions
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,MACOM MRF275G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	MRF275GMRF275G
Pd-PowerDissipation	400 W
Pd-功率耗散	400 W
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	65 V
Vds-漏源极击穿电压	65 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 40 V
Vgs-栅源极击穿电压	+/- 40 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2.5 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2.5 V
产品种类	射频MOSFET晶体管
供应商器件封装	375-04， 2 型
其它名称	1465-1173
功率-输出	150W
功率耗散	400 W
包装	托盘
商标	MACOM
噪声系数	-
增益	11.2 dB at 500 MHz11.2dB
安装风格	SMD/SMT
封装	Tray
封装/外壳	375-04
封装/箱体	Case 375-04
工厂包装数量	24
晶体管极性	N-Channel
晶体管类型	2 N 沟道（双）共源
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 65 C
标准包装	6
汲极/源极击穿电压	65 V
漏极连续电流	26 A
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	100mA
输出功率	150 W
配置	Dual
闸/源击穿电压	+/- 40 V
频率	100 MHz to 500 MHz500MHz
额定电流	26A