Datasheet下载- 型号： BF861C,215
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF861C,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF861C,215价格参考。NXP SemiconductorsBF861C,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BF861C,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF861C,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 BF861C,215 是一款高性能射频场效应晶体管（RF MOSFET），属于晶体管 - FET，MOSFET - 射频类别。该器件专为高频、低噪声应用设计，广泛用于无线通信系统中。 主要应用场景包括： 1. 无线通信接收器：BF861C,215 具有极低的噪声系数和高增益特性，适用于VHF/UHF频段的接收前端，如广播收音机、对讲机和无线麦克风系统，可有效提升信号接收灵敏度。 2. 电视与调频广播调谐器：在模拟和数字电视调谐模块中，该MOSFET用于射频放大，确保弱信号下的稳定接收性能。 3. 低功耗射频设备：因其工作电流低、效率高，适合便携式或电池供电设备，如手持通信终端和远程传感器节点。 4. 工业与汽车电子系统：可用于车载收音模块或工业无线监控系统中的射频信号放大环节，具备良好的温度稳定性和可靠性。 BF861C,215 采用SOT-23封装，体积小巧，便于集成于高密度PCB设计中。其优异的高频性能和稳定性，使其在要求严苛的射频应用中表现突出，是许多消费类与工业级无线产品中的关键元器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 10MA SOT23射频JFET晶体管 JFET N-CH 25V 10mA |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-连续漏极电流 | 25 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,NXP Semiconductors BF861C,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BF861C,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 250 mW |
| Pd-功率耗散 | 250 mW |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 25 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 25 mA |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-6169-1 |
| 功率-输出 | - |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | JFET |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大漏极/栅极电压 | 25 V |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源电压VDS | 25 V |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | 25V |
| 电流-测试 | - |
| 类型 | Silicon |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 25 V |
| 闸/源截止电压 | - 0.8 V to - 2 V |
| 零件号别名 | BF861C T/R |
| 频率 | - |
| 额定电流 | 25mA |
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