Datasheet下载- 型号： MRF157
- 制造商： M/A-COM
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF157由M/A-COM设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF157价格参考。M/A-COMMRF157封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF157参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF157 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
M/A-Com Technology Solutions（现为MACOM Technology Solutions）生产的MRF157型号属于射频晶体管（RF FET/MOSFET），广泛应用于高频、高功率的射频放大器领域。以下是该型号的主要应用场景： 1. 射频功率放大器 - MRF157适用于高频段（如VHF/UHF频段）的射频功率放大器设计，能够提供高增益和高效率。 - 常用于广播通信、无线电中继站以及卫星地面站等需要高功率输出的场景。 2. 无线通信系统 - 在无线通信领域，MRF157可用于基站发射机、移动通信设备和微波链路中的功率放大模块。 - 支持多种通信标准，例如模拟调制信号（AM/FM/SSB）或数字调制信号（OFDM/QAM）。 3. 雷达与导航系统 - 高频、高功率特性使其成为脉冲雷达和连续波雷达的理想选择。 - 在导航系统中，MRF157可以用于信号增强和远程传输，确保信号的稳定性和可靠性。 4. 业余无线电 - 业余无线电爱好者常使用MRF157作为自制射频功放的核心元件，用于提升发射功率。 - 支持多种频段，包括2米波段（144 MHz）、70厘米波段（430 MHz）等。 5. 工业、科学与医疗（ISM）应用 - 在ISM频段（如2.4 GHz、5.8 GHz），MRF157可用于加热设备、等离子体发生器及医疗诊断仪器中的射频电源模块。 6. 测试与测量设备 - 在实验室环境中，MRF157可集成到信号发生器、频谱分析仪和其他射频测试设备中，用以产生高功率测试信号。 总结 MRF157凭借其优异的射频性能（如高功率增益、低失真和宽带宽），在通信、雷达、导航、工业和医疗等领域有着广泛的应用。其设计特别适合需要高效率和高可靠性的射频功率放大场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | FET RF N-CH 50V 600W 368-03射频MOSFET晶体管 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| 品牌 | M/A-Com Technology SolutionsMACOM |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,MACOM MRF157- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MRF157MRF157 |
| Pd-PowerDissipation | 1350 W |
| Pd-功率耗散 | 1350 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 125 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 125 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 40 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | 368-03， 2 型 |
| 其它名称 | 1465-1157 |
| 功率-输出 | 600W |
| 功率耗散 | 1350 W |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | MACOM |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 21 dB21dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | 368-03 |
| 封装/箱体 | Case 368-03 |
| 工厂包装数量 | 2 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 6 |
| 汲极/源极击穿电压 | 125 V |
| 漏极连续电流 | 60 A |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 125V |
| 电流-测试 | 800mA |
| 类型 | Broadband RF Power FET |
| 输出功率 | 600 W |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 40 V |
| 频率 | 80MHz80 MHz |
| 额定电流 | 60A |
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