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Datasheet下载- 型号： BF1203,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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BF1203,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF1203,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF1203,115价格参考。NXP SemiconductorsBF1203,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道双门 5V 15mA 400MHz 27dB 6-TSSOP。您可以下载BF1203,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF1203,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 BF1203,115 的晶体管由 NXP USA Inc. 生产，属于射频（RF）MOSFET类别，主要应用于高频射频信号处理领域。该器件特别适用于无线通信系统中的射频前端模块，如基站、无线接入点、微波通信设备等。 BF1203,115具备良好的高频性能和线性度，适合用于射频功率放大器（PA）和低噪声放大器（LNA）设计，能够在较高的频率范围内（如UHF、VHF、甚至GHz频段）稳定工作。其设计支持小信号放大应用，因此也常用于接收机前端，以提高信号灵敏度和系统整体性能。 此外，该MOSFET还可用于测试设备、广播设备、工业控制系统等需要高性能射频放大的场景。由于其封装小巧、功耗低，也适合集成在便携式通信设备或紧凑型射频模块中。 总结而言，BF1203,115是一款适用于高频、低功率射频放大的MOSFET，广泛用于通信基础设施、无线接入、射频识别（RFID）、广播和测试测量设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 10V 30MA 6TSSOP |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BF1203,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-6155-1 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数 | 1dB |
| 增益 | 27dB |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | N 通道双门 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 5V |
| 电压-额定 | 10V |
| 电流-测试 | 15mA |
| 频率 | 400MHz |
| 额定电流 | 30mA |
