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MRF1570FNT1产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF1570FNT1由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF1570FNT1价格参考。Freescale SemiconductorMRF1570FNT1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet LDMOS 12.5V 800mA 470MHz 11.5dB 70W TO-272-8 扁平引线。您可以下载MRF1570FNT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF1570FNT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF1570FNT1是NXP USA Inc.生产的一款射频MOSFET晶体管,属于高功率LDMOS器件,主要应用于高频、高功率的射频放大场合。该器件典型工作频率范围覆盖VHF至UHF波段(约1.8 GHz以下),具备高增益、高效率和良好的热稳定性,适合在大功率发射系统中作为最终放大级使用。 其主要应用场景包括:广播电视发射机(如FM广播和电视信号发射)、工业、科学和医疗(ISM)频段设备(如射频加热、等离子发生器)、公共安全通信系统(如警用、消防无线通信基站)、民用及军用高频通信基础设施,以及航空导航与雷达系统等需要高可靠性连续波(CW)或调制信号放大的领域。 MRF1570FNT1采用先进的封装技术,具有优异的散热性能,可在高电压、高驻波比环境下稳定运行,适用于恶劣工作条件下的关键通信系统。由于其高输出功率能力(可达数百瓦)和出色的线性度,也常用于需要高质量信号传输的模拟和数字调制系统中。 总之,MRF1570FNT1广泛用于各类高功率射频放大系统,特别适合对系统稳定性、效率和长期可靠性要求较高的专业通信与广播应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-8射频MOSFET晶体管 RF LDMOS TO272-6N FLAT |
产品分类 | RF FET分离式半导体 |
品牌 | Freescale Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MRF1570FNT1- |
数据手册 | |
产品型号 | MRF1570FNT1 |
Pd-PowerDissipation | 165 W |
Pd-功率耗散 | 165 W |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
产品类型 | RF MOSFET Power |
供应商器件封装 | TO-272-8 扁平引线 |
其它名称 | MRF1570FNT1DKR |
功率-输出 | 70W |
功率耗散 | 165 W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 1.279 g |
商标 | Freescale Semiconductor |
噪声系数 | - |
增益 | 11.5dB |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-272-8 |
封装/箱体 | TO-272-8 EP |
工厂包装数量 | 500 |
技术 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
晶体管类型 | LDMOS |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 40 V |
电压-测试 | 12.5V |
电压-额定 | 40V |
电流-测试 | 800mA |
系列 | MRF1570N |
输出功率 | 70 W |
配置 | Dual |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
频率 | 470MHz |
额定电流 | 1µA |