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Datasheet下载- 型号： MRF1570FNT1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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MRF1570FNT1产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF1570FNT1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF1570FNT1价格参考。Freescale SemiconductorMRF1570FNT1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 12.5V 800mA 470MHz 11.5dB 70W TO-272-8 扁平引线。您可以下载MRF1570FNT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF1570FNT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-8射频MOSFET晶体管 RF LDMOS TO272-6N FLAT |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MRF1570FNT1- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MRF1570FNT1 |
| Pd-PowerDissipation | 165 W |
| Pd-功率耗散 | 165 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | RF MOSFET Power |
| 供应商器件封装 | TO-272-8 扁平引线 |
| 其它名称 | MRF1570FNT1DKR |
| 功率-输出 | 70W |
| 功率耗散 | 165 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 1.279 g |
| 商标 | Freescale Semiconductor |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 11.5dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-272-8 |
| 封装/箱体 | TO-272-8 EP |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 电压-测试 | 12.5V |
| 电压-额定 | 40V |
| 电流-测试 | 800mA |
| 系列 | MRF1570N |
| 输出功率 | 70 W |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
| 频率 | 470MHz |
| 额定电流 | 1µA |
