ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > PD54003-E
Datasheet下载- 型号： PD54003-E
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD54003-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD54003-E价格参考。STMicroelectronicsPD54003-E封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 7.5V 50mA 500MHz 12dB 3W 10-PowerSO。您可以下载PD54003-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD54003-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD54003-E是一款射频（RF）MOSFET晶体管，广泛应用于高频信号处理和无线通信领域。以下是其主要应用场景： 1. 射频功率放大器：PD54003-E可用于设计射频功率放大器，适用于无线通信系统中的信号放大，如对讲机、无线基站或无线电设备。 2. 移动通信设备：该器件适合用于GSM、CDMA和其他蜂窝通信系统的功率放大模块，支持高效的信号传输。 3. 工业、科学和医疗（ISM）频段应用：在ISM频段中，PD54003-E可以用于无线数据传输模块、遥控器以及无线传感器网络。 4. 短波和超短波通信：在军事、航空和航海通信中，这款MOSFET可提供高效率和低失真的信号放大。 5. 无线音频传输：例如无线麦克风、耳机或其他音频设备，PD54003-E能够实现高质量的音频信号传输。 6. 物联网（IoT）设备：在低功耗广域网（LPWAN）技术中，如LoRa或Sigfox，该晶体管可用于提高信号覆盖范围和传输效率。 7. 卫星通信：PD54003-E可用于小型地面站或用户终端设备中的射频前端模块，以增强信号强度和稳定性。 8. 雷达和导航系统：在需要高效射频信号放大的场景中，这款器件可用于气象雷达、交通监控雷达或GPS导航设备。 9. 测试与测量仪器：在射频信号发生器或频谱分析仪中，PD54003-E可用于生成或处理高频信号。 总之，PD54003-E凭借其出色的射频性能和可靠性，成为多种高频应用的理想选择，尤其在需要高效功率放大和低失真性能的场合表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF N-CH FET LDMOST PWRSO10 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PD54003-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 10-PowerSO |
| 其它名称 | 497-5295-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1820/PF132452?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 3W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 12dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 7.5V |
| 电压-额定 | 25V |
| 电流-测试 | 50mA |
| 频率 | 500MHz |
| 额定电流 | 4A |
.jpg)
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
