Datasheet下载- 型号： BLF6G38LS-50,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G38LS-50,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G38LS-50,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G38LS-50,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G38LS-50,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G38LS-50,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF6G38LS-50,112 是 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频功率 MOSFET 晶体管，主要用于高功率射频放大应用。该器件适用于广播、通信和工业领域中的射频能量传输系统。 典型应用场景包括： 1. 广播发射机：用于调频（FM）和数字音频广播（DAB）发射系统，提供高效率和高可靠性，支持大功率输出。 2. 通信基础设施：适用于蜂窝基站、无线电通信系统中的功率放大模块，支持多种调制方式，适应4G、5G等现代通信标准。 3. 工业与科学设备：用于射频加热、等离子体发生器、医疗设备等需要高功率射频源的系统中，具备良好的热稳定性和耐用性。 4. 雷达与测试设备：适用于雷达发射机和射频测试仪器，提供稳定的高功率输出，支持宽频率范围操作。 该器件采用先进的LDMOS技术，具备高增益、高效率和良好的热性能，适合在严苛环境下长期运行。其50V工作电压设计有助于提高输出功率和系统效率，广泛应用于需要高可靠性和高性能的射频系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC WIMAX 3.8GHZ SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G38LS-50,112 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 568-8659 |
| 功率-输出 | 9W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 450mA |
| 频率 | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| 额定电流 | 16.5A |
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