Datasheet下载- 型号： ATF-331M4-BLK
- 制造商： Avago Technologies
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-331M4-BLK由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-331M4-BLK价格参考。Avago TechnologiesATF-331M4-BLK封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ATF-331M4-BLK参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ATF-331M4-BLK 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Broadcom Limited生产的ATF-331M4-BLK是一款射频（RF）晶体管，属于FET（场效应晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。这类器件通常用于高频信号处理和无线通信领域，以下是其主要应用场景： 1. 射频放大器 - ATF-331M4-BLK适用于设计射频功率放大器，特别是在VHF（甚高频频段，30 MHz至300 MHz）和UHF（超高频频段，300 MHz至3 GHz）范围内。 - 它可以用于提高信号强度，确保远距离传输的可靠性。 2. 无线通信设备 - 在无线通信系统中，如对讲机、卫星通信设备、无线电收发器等，该器件可用于信号的放大和调制。 - 适用于需要高效能和低噪声特性的应用场合。 3. 雷达系统 - 射频MOSFET在雷达系统中扮演重要角色，能够提供高增益和高线性度的信号处理能力。 - ATF-331M4-BLK可支持目标检测和跟踪功能中的信号增强需求。 4. 射频前端模块 - 在现代通信设备中，射频前端模块需要高效的功率放大器和低噪声放大器。 - 该型号可用于设计这些模块，以优化性能并减少功耗。 5. 测试与测量设备 - 在射频测试仪器（如频谱分析仪、信号发生器）中，ATF-331M4-BLK可用于生成或放大测试信号。 - 其稳定的性能有助于提高测量精度。 6. 工业与科学应用 - 在一些工业设备中，如射频加热、等离子体生成等领域，该器件可用于控制和调节射频能量输出。 特性总结 ATF-331M4-BLK具有高频率响应、低噪声系数和良好的线性度，使其成为射频应用的理想选择。它的具体参数（如工作频率范围、功率输出能力等）需参考产品数据手册，以便根据实际需求进行设计和选型。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IC PHEMT LOW NOISE 2GHZ MINIPAK射频JFET晶体管 Transistor GaAs Low Noise |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 305 mA |
| Id-连续漏极电流 | 305 mA |
| 品牌 | Avago Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies ATF-331M4-BLK- |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-3621EN |
| P1dB | 19 dBm |
| 产品型号 | ATF-331M4-BLK |
| PCN设计/规格 | http://www.avagotech.com/docs/V13-004-480035-0A |
| Pd-PowerDissipation | 400 mW |
| Pd-功率耗散 | 400 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 5.5 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 5.5 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 5 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 5 V |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | MiniPak 1412 |
| 功率-输出 | 19dBm |
| 功率耗散 | 400 mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Avago Technologies |
| 噪声系数 | 0.6 dB |
| 增益 | 15 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | 0505（1412 公制） |
| 封装/箱体 | Mini PAK |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 技术 | GaAs |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | pHEMT |
| 最大工作温度 | + 160 C |
| 最大漏极/栅极电压 | - 5 V |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 100 |
| 正向跨导-最小值 | 440 mmho |
| 漏极连续电流 | 305 mA |
| 漏源电压VDS | 5.5 V |
| 电压-测试 | 4V |
| 电压-额定 | 5.5V |
| 电流-测试 | 60mA |
| 类型 | GaAs pHEMT |
| 配置 | Single Dual Source |
| 闸/源击穿电压 | - 5 V |
| 频率 | 2 GHz |
| 额定电流 | 305mA |
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