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产品简介:
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STMicroelectronics 的 SD2931-12W 是一款N沟道增强型射频MOSFET,属于高性能功率晶体管,专为射频功率放大应用设计。该器件采用先进的制程技术,具备高增益、高效率和良好的热稳定性,适用于工作频率在数百MHz至数GHz范围的无线通信系统。 典型应用场景包括: 1. 蜂窝通信基站:用于宏基站或小型基站(如微蜂窝、微微蜂窝)的射频功率放大级,支持GSM、CDMA、LTE及5G等通信标准。 2. 工业与公共安全无线电:在高可靠性要求的对讲机、集群通信系统中提供稳定的射频输出。 3. 广播与雷达系统:适用于UHF频段的广播发射设备及低功率雷达模块中的射频放大环节。 4. 无线基础设施设备:如远程射频单元(RRU)、有源天线系统(AAS)等,满足高线性度和高效率需求。 SD2931-12W具有12W的输出功率能力,适合需要中等功率、高可靠性的射频放大场景。其封装设计有利于散热,可在较宽温度范围内稳定工作,提升了系统长期运行的可靠性。此外,该器件匹配性能良好,可减少外围电路复杂度,有助于简化射频放大器的设计与调校。 综上,SD2931-12W广泛应用于现代无线通信基础设施中,尤其适合对性能和稳定性要求较高的中功率射频放大场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | IC TRANS RF HF/VHF/UHF |
产品分类 | RF FET |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SD2931-12W |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | M244 |
功率-输出 | 150W |
包装 | 管件 |
噪声系数 | - |
增益 | 15dB |
封装/外壳 | M244 |
晶体管类型 | N 通道 |
标准包装 | 25 |
电压-测试 | 50V |
电压-额定 | 125V |
电流-测试 | 250mA |
频率 | 175MHz |
额定电流 | 20A |