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  • 型号: SD2931-12W
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SD2931-12W由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SD2931-12W价格参考。STMicroelectronicsSD2931-12W封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SD2931-12W参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SD2931-12W 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics 的 SD2931-12W 是一款N沟道增强型射频MOSFET,属于高性能功率晶体管,专为射频功率放大应用设计。该器件采用先进的制程技术,具备高增益、高效率和良好的热稳定性,适用于工作频率在数百MHz至数GHz范围的无线通信系统。

典型应用场景包括:  
1. 蜂窝通信基站:用于宏基站或小型基站(如微蜂窝、微微蜂窝)的射频功率放大级,支持GSM、CDMA、LTE及5G等通信标准。  
2. 工业与公共安全无线电:在高可靠性要求的对讲机、集群通信系统中提供稳定的射频输出。  
3. 广播与雷达系统:适用于UHF频段的广播发射设备及低功率雷达模块中的射频放大环节。  
4. 无线基础设施设备:如远程射频单元(RRU)、有源天线系统(AAS)等,满足高线性度和高效率需求。  

SD2931-12W具有12W的输出功率能力,适合需要中等功率、高可靠性的射频放大场景。其封装设计有利于散热,可在较宽温度范围内稳定工作,提升了系统长期运行的可靠性。此外,该器件匹配性能良好,可减少外围电路复杂度,有助于简化射频放大器的设计与调校。

综上,SD2931-12W广泛应用于现代无线通信基础设施中,尤其适合对性能和稳定性要求较高的中功率射频放大场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

IC TRANS RF HF/VHF/UHF

产品分类

RF FET

品牌

STMicroelectronics

数据手册

产品图片

产品型号

SD2931-12W

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

M244

功率-输出

150W

包装

管件

噪声系数

-

增益

15dB

封装/外壳

M244

晶体管类型

N 通道

标准包装

25

电压-测试

50V

电压-额定

125V

电流-测试

250mA

频率

175MHz

额定电流

20A

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