【未分类_UF28150J】封装/厂家_UF28150J中文资料_价格

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型号： UF28150J
制造商： M/A-COM
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供UF28150J由M/A-COM设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UF28150J价格参考。M/A-COMUF28150J封装/规格：未分类，暂无。您可以下载UF28150J参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有UF28150J 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

UF28150J是M/A-Com Technology Solutions（现为MACOM的一部分）生产的一款射频功率MOSFET晶体管，主要用于高频率、高功率的射频应用。该器件基于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，具有良好的线性度和效率，适用于要求严苛的通信系统。

 应用场景包括：

1. 无线通信基站：用于4G/5G基站的射频功率放大器模块，提供高线性输出功率和优良的热稳定性。
2. 广播发射设备：如FM广播或电视广播中的射频功率放大部分。
3. 工业与医疗射频设备：例如射频加热、等离子体生成及医疗治疗设备中的功率控制单元。
4. 测试与测量仪器：在射频信号发生器或功率放大器中作为高功率输出级使用。
5. 军用与航空航天系统：用于雷达、电子战系统等对可靠性有高要求的场合。

该器件工作频率范围较宽，支持从几十MHz到1GHz以上的应用，具备较高的耐用性和效率，适合高性能射频功率放大设计。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET 150W 28V 100-500MHZ射频MOSFET晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB
产品分类	RF FET分离式半导体
Id-ContinuousDrainCurrent	16 A
Id-连续漏极电流	16 A
品牌	M/A-Com Technology SolutionsMACOM
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,MACOM UF28150J-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	UF28150JUF28150J
Pd-PowerDissipation	389 W
Pd-功率耗散	389 W
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	65 V
Vds-漏源极击穿电压	65 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	+/- 20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	6 V
Vgsth-栅源极阈值电压	6 V
产品种类	射频MOSFET晶体管
供应商器件封装	-
其它名称	1465-1210
功率-输出	150W
功率耗散	389 W
包装	散装
商标	MACOM
噪声系数	-
增益	8dB8 dB at 500 MHz
安装风格	SMD/SMT
封装	Tray
封装/外壳	-
封装/箱体	Case 375-04
晶体管极性	N-Channel
晶体管类型	2 N-通道（双）
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 65 C
标准包装	6
汲极/源极击穿电压	65 V
漏极连续电流	16 A
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	400mA
输出功率	150 W
配置	Dual
闸/源击穿电压	+/- 20 V
频率	100MHz ~ 500MHz100 MHz to 500 MHz
额定电流	16A