Datasheet下载- 型号： BLL6H1214LS-250,11
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLL6H1214LS-250,11由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLL6H1214LS-250,11价格参考。NXP SemiconductorsBLL6H1214LS-250,11封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLL6H1214LS-250,11参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLL6H1214LS-250,11 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc.的型号BLL6H1214LS-250,11是一款射频功率MOSFET晶体管，主要应用于射频（RF）功率放大领域。该器件适用于需要高功率、高频率操作的场景，常见于通信基础设施，如蜂窝基站、广播系统和工业、科学及医疗（ISM）频段设备。此外，它也用于测试设备和测量仪器中的射频信号放大，以及航空、国防等高可靠性系统中的射频发射模块。该MOSFET具备高增益、高效率和良好热稳定性的特点，适合在12V至14V电源电压下工作，支持高频段信号放大，满足现代无线通信系统对高性能射频器件的需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS L-BAND RADAR LDMOS SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLL6H1214LS-250,11 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 568-7561 |
| 功率-输出 | 250W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 100V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 1.2GHz ~ 1.4GHz |
| 额定电流 | 42A |
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