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  • 型号: BLM7G22S-60PBGY
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BLM7G22S-60PBGY由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLM7G22S-60PBGY价格参考。NXP SemiconductorsBLM7G22S-60PBGY封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BLM7G22S-60PBGY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLM7G22S-60PBGY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 生产的型号为 BLM7G22S-60PBGY 的晶体管属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别,并专门针对射频(RF)应用设计。以下是该型号的主要应用场景:

 1. 射频功率放大器
   - 该 MOSFET 主要用于射频功率放大器的设计,适用于无线通信、广播和雷达系统。
   - 在高频环境下,能够提供高效的功率转换,支持高增益和低失真性能。

 2. 无线通信设备
   - 应用于基站、中继站和其他无线通信基础设施中的射频功率模块。
   - 支持多种无线通信标准,如 GSM、CDMA、LTE 和新兴的 5G 技术。

 3. 航空航天与国防
   - 用于雷达系统、卫星通信和电子战设备中的射频信号处理。
   - 其高可靠性、高效率和宽频带特性使其成为航空航天和国防领域的理想选择。

 4. 工业射频应用
   - 适用于工业加热、等离子体生成和射频能量传输等场景。
   - 在这些应用中,需要高效且稳定的射频功率输出以满足特定的能量需求。

 5. 测试与测量设备
   - 用于射频信号发生器、频谱分析仪和其他测试设备中,提供精确的射频功率控制。
   - 确保测试结果的准确性和一致性。

 6. 广播电视系统
   - 用于电视和广播发射机中的射频功率放大器,确保信号覆盖范围广且质量稳定。
   - 支持 AM、FM 和数字广播等多种广播模式。

 性能特点:
   - 高频率支持:适用于 GHz 频段的射频应用。
   - 高效率:在高功率输出时保持较低的功耗和热量产生。
   - 宽动态范围:能够适应不同的输入信号强度,提供稳定的输出。
   - 耐用性:具有良好的热管理和抗干扰能力,适合苛刻的工作环境。

综上所述,BLM7G22S-60PBGY 型号的 MOSFET 射频晶体管广泛应用于需要高性能射频功率输出的领域,特别是在通信、国防和工业射频能量相关技术中发挥重要作用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

IC MMIC DUAL 2-STAGE 16HSOP

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

BLM7G22S-60PBGY

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

16-HSOP

其它名称

934066083518

功率-输出

1.6W

包装

带卷 (TR)

噪声系数

-

增益

31.5dB

封装/外壳

SOT-1212-1

晶体管类型

LDMOS(双)

标准包装

100

电压-测试

28V

电压-额定

65V

电流-测试

75mA

频率

2.4GHz

额定电流

-

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