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- 型号： MRFE6VP5600HSR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6VP5600HSR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6VP5600HSR6价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6VP5600HSR6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFE6VP5600HSR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6VP5600HSR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MRFE6VP5600HSR6的器件由品牌NXP USA Inc.生产，属于射频MOSFET晶体管。该器件主要用于高功率射频放大应用，常见于无线通信基础设施，如蜂窝基站、广播发射机和工业射频能量系统。它适用于需要高效、高线性度放大的场景，尤其在D类和E类射频功率放大器设计中表现优异。此外，该器件也可用于HF（高频）和VHF（甚高频）波段的广播设备以及测试与测量仪器中。其高耐用性和稳定性使其成为要求严苛的工业和商业射频应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 600W NI1230S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRFE6VP5600HSR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230S |
| 功率-输出 | 600W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 25dB |
| 封装/外壳 | NI-1230S |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 130V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 230MHz |
| 额定电流 | - |
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