Datasheet下载- 型号： MRFE6S9125NR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6S9125NR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6S9125NR1价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6S9125NR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFE6S9125NR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6S9125NR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFE6S9125NR1是NXP USA Inc.生产的一款射频功率MOSFET晶体管，属于高性能LDMOS器件，广泛应用于高频率、高功率的无线通信系统中。其主要应用场景包括： 1. 广播发射系统：适用于FM广播发射机（87.5–108 MHz频段），提供高效率和高线性度输出，支持大功率连续波（CW）或调制信号放大，适合城市及区域级广播覆盖。 2. 工业与公共安全通信：用于VHF/UHF频段的专用无线电系统，如警用、消防、交通调度等关键通信设备，保障稳定可靠的远距离通信。 3. 航空与军事通信：在航空导航、地空通信及战术通信系统中，该器件可工作于高可靠性要求环境，具备良好的热稳定性和抗干扰能力。 4. 基站与基础设施：适用于蜂窝网络中的高功率放大器模块，支持多种模拟和数字调制格式，满足现代通信对高能效和紧凑设计的需求。 MRFE6S9125NR1采用坚固的陶瓷封装，具备优良的散热性能和长期可靠性，适合在高温、高湿等恶劣环境下持续运行。其高增益和低失真特性使其成为专业射频功率放大的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 27W TO-270-4射频MOSFET晶体管 HV6E 125W |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MRFE6S9125NR1- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MRFE6S9125NR1 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 0.5 V, 66 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 0.5 V, 66 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 0.5 V, 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 0.5 V, 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.1 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-270 WB-4 |
| 其它名称 | MRFE6S9125NR1DKR |
| 功率-输出 | 27W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 1.646 g |
| 商标 | Freescale Semiconductor |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19 dB, 20 dB, 20.2 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-270AB |
| 封装/箱体 | TO-270 WB EP |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 0.5 V, 66 V |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 66V |
| 电流-测试 | 950mA |
| 系列 | MRFE6S9125N |
| 输出功率 | 27 W |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 0.5 V, 12 V |
| 频率 | 880 MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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