Datasheet下载- 型号： BLS7G2933S-150,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLS7G2933S-150,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLS7G2933S-150,112价格参考。NXP SemiconductorsBLS7G2933S-150,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLS7G2933S-150,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLS7G2933S-150,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLS7G2933S-112 是 Ampleon USA Inc. 推出的一款高性能射频MOSFET晶体管，适用于高频、高功率的射频放大应用。该器件工作频段覆盖700–3500 MHz，输出功率可达150W，具有高增益、高效率和良好的热稳定性，广泛应用于无线通信基础设施领域。 其主要应用场景包括：4G/5G宏基站中的多载波功率放大器（MCPA），支持大规模MIMO和宽带信号处理；工业、科学和医疗（ISM）频段设备，如射频加热、等离子发生器和射频能量应用；软件定义无线电（SDR）和宽带通信系统，因其宽频带特性可适应多种调制格式；还可用于公共安全通信、广播传输及航空通信等对可靠性要求较高的场景。 BLS7G2933S-112采用先进的LDMOS技术，具备出色的耐用性和抗驻波比（VSWR）能力，能在恶劣匹配条件下稳定工作，适合部署在复杂电磁环境中。其紧凑的封装设计有利于高密度电路布局，同时简化散热管理，提升系统整体可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT922-1 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLS7G2933S-150,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM2 |
| 其它名称 | 934064578112 |
| 功率-输出 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | SOT922-1 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 60V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 2.9GHz ~ 3.3GHz |
| 额定电流 | 33A |
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