Datasheet下载- 型号： ATF-58143-BLKG
- 制造商： Avago Technologies
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-58143-BLKG由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-58143-BLKG价格参考。Avago TechnologiesATF-58143-BLKG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ATF-58143-BLKG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ATF-58143-BLKG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Broadcom Limited生产的ATF-58143-BLKG是一种射频（RF）晶体管，属于FET（场效应晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。这种器件专为高频应用设计，具有低噪声、高增益和高线性度的特点，适用于多种射频通信和信号处理场景。以下是其主要应用场景： 1. 射频放大器： ATF-58143-BLKG常用于低噪声放大器（LNA）的设计，特别是在无线通信系统中，如蜂窝基站、卫星通信设备和无线电接收机。它能够有效地放大微弱的射频信号，同时保持较低的噪声水平。 2. 无线通信设备： 该器件适用于各种无线通信设备，例如Wi-Fi模块、蓝牙设备和射频识别（RFID）读卡器。其高频性能和稳定性使其成为这些应用的理想选择。 3. 雷达系统： 在雷达系统中，ATF-58143-BLKG可用于信号放大和处理，支持高精度的目标检测和距离测量。其高频特性和低噪声性能有助于提高雷达系统的整体性能。 4. 测试与测量设备： 该晶体管也可用于射频测试仪器，如频谱分析仪和信号发生器。这些设备需要高精度和稳定的射频信号处理能力，而ATF-58143-BLKG能够满足这些需求。 5. 广播电视设备： 在广播和电视信号传输领域，该器件可用于信号放大和调制，确保高质量的信号传输和接收。 6. 航空航天与国防： 由于其卓越的高频性能和可靠性，ATF-58143-BLKG也广泛应用于航空航天和国防领域的通信设备，如卫星通信终端和军用无线电。 总结来说，ATF-58143-BLKG凭借其优异的射频性能，适用于需要高频率、低噪声和高增益的各种电子设备和系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IC PHEMT 2GHZ 3V 30MA SOT-343射频JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 mA |
| Id-连续漏极电流 | 100 mA |
| 品牌 | Avago Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies ATF-58143-BLKG- |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-0672EN |
| P1dB | 19 dBm |
| 产品型号 | ATF-58143-BLKG |
| PCN组件/产地 | http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B |
| Pd-PowerDissipation | 500 mW |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 5 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 5 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 5 V to 1 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 5 V to 1 V |
| 产品 | RF JFET |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-343 |
| 其它名称 | 516-1870 |
| 功率-输出 | 19dBm |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Avago Technologies |
| 噪声系数 | 0.5 dB |
| 增益 | 16.5 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 封装/箱体 | SOT-343 |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 技术 | GaAs |
| 晶体管类型 | EpHEMT |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 100 |
| 正向跨导-最小值 | 410 mmho |
| 漏极连续电流 | 100 mA |
| 漏源电压VDS | 5 V |
| 电压-测试 | 3V |
| 电压-额定 | 5V |
| 电流-测试 | 30mA |
| 类型 | GaAs EpHEMT |
| 配置 | Single Dual Source |
| 闸/源击穿电压 | - 5 V to 1 V |
| 频率 | 2 GHz |
| 额定电流 | 100mA |
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