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PD85015-E产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PD85015-E由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD85015-E价格参考。STMicroelectronicsPD85015-E封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet LDMOS 13.6V 150mA 870MHz 16dB 15W PowerSO-10RF(成形引线)。您可以下载PD85015-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PD85015-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD85015-E是一款射频MOSFET晶体管,主要应用于需要高效、高频性能的射频(RF)电路中。该器件适用于无线通信系统中的射频功率放大器设计,常见于基站、无线基础设施设备以及工业和医疗射频设备中。 PD85015-E具备良好的高频特性与高增益表现,适合用于UHF(特高频)至微波频段的信号放大。其高可靠性和热稳定性使其在恶劣工作环境下也能保持稳定运行,因此广泛用于4G/5G通信设备、广播发射机、测试测量仪器及航空航天相关系统。 此外,该器件也可用于射频能量应用,如感应加热和等离子体生成等领域,展现出较强的通用性与适应能力。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS RF POWER LDMOST N-CH |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PD85015-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PowerSO-10RF(成形引线) |
| 其它名称 | 497-8296 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1821/PF204396?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 15W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线) |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ST/pd8.html |
| 电压-测试 | 13.6V |
| 电压-额定 | 40V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 频率 | 870MHz |
| 额定电流 | 5A |