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Datasheet下载- 型号： 2SK3557-6-TB-E
- 制造商： ON Semiconductor
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2SK3557-6-TB-E产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3557-6-TB-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3557-6-TB-E价格参考。ON Semiconductor2SK3557-6-TB-E封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， RF Mosfet N-Channel JFET 5V 1mA 1kHz 200mW 3-CP。您可以下载2SK3557-6-TB-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK3557-6-TB-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为2SK3557-6-TB-E的射频MOSFET由ON Semiconductor生产，主要应用于高频、小信号放大场景。该器件采用pHemt（伪高电子迁移率晶体管）技术，具有低噪声、高增益和优异的高频性能，适用于2.4 GHz至6 GHz频段，常见于无线通信系统中。 其典型应用场景包括：无线局域网（WLAN）、Wi-Fi 6（802.11ax）接入点与路由器、物联网（IoT）设备中的射频前端模块、智能家居与工业无线通信模块。此外，也适用于需要低功耗与高性能平衡的便携式无线设备，如无线音频传输、无线监控设备等。 2SK3557-6-TB-E采用小型化封装（如SOT-143），适合高密度PCB布局，有助于缩小终端产品体积。其稳定的射频特性和良好的线性度，也使其可用于低功率射频放大器和接收链路中的前置放大器，提升信号接收灵敏度。 综上，该器件广泛用于现代高频无线通信系统，特别适合对尺寸、功耗和射频性能有较高要求的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | RF N-CH JFET 15V 50MA 3CP射频JFET晶体管 LOW-FREQUENCY AMPLIFIER |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 mA |
| Id-连续漏极电流 | 50 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,ON Semiconductor 2SK3557-6-TB-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SK3557-6-TB-E |
| Pd-PowerDissipation | 200 mW |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 15 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 15 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 15 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 32 mA |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | 3-CP |
| 其它名称 | 2SK3557-6-TB-EOSDKR |
| 功率-输出 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 噪声系数 | 1dB |
| 增益 | - |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | N 通道 JFET |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大漏极/栅极电压 | - 15 V |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 35 mS |
| 漏极连续电流 | 50 mA |
| 漏源电压VDS | 15 V |
| 电压-测试 | 5V |
| 电压-额定 | 15V |
| 电流-测试 | 1mA |
| 类型 | Silicon |
| 系列 | 2SK3557 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 15 V |
| 闸/源截止电压 | - 0.7 V |
| 频率 | 1kHz |
| 额定电流 | 50mA |
