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Datasheet下载- 型号： 2SK3476(TE12L,Q)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3476(TE12L,Q)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3476(TE12L,Q)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK3476(TE12L,Q)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SK3476(TE12L,Q)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK3476(TE12L,Q) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SK3476(TE12L,Q)是东芝半导体与存储公司（Toshiba Semiconductor and Storage）生产的一款N沟道MOSFET射频晶体管，属于射频功率放大器应用中的高性能器件。该型号主要用于高频、高效率的无线通信系统中，适用于VHF/UHF频段（如30 MHz至1 GHz范围），广泛应用于电视广播发射设备、有线电视（CATV）放大系统、工业射频加热设备以及小功率射频放大模块。 其高增益、优良的线性度和良好的热稳定性使其在需要稳定输出和低失真的场景中表现优异。典型应用场景包括：地面数字电视（DTMB、DVB-T/T2等）信号的上行放大、基站辅助射频模块、无线中继设备及专业通信设备中的末级或驱动级放大电路。此外，该器件采用小型表面贴装封装（如SOT-23或类似小型化封装），适合高密度PCB布局，有利于缩小设备体积，提升系统集成度。 由于具备良好的抗静电能力和可靠性，2SK3476(TE12L,Q)也适用于对长期运行稳定性要求较高的工业与民用射频设备中。总体而言，该MOSFET特别适合用于中低功率、高频工作的射频放大场合，是模拟射频设计中常用的优选器件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSF RF N CH 20V 3A PW-X |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SK3476(TE12L,Q) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PW-X |
| 其它名称 | 2SK3476(TE12LQ)CT |
| 功率-输出 | 7W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 11.4dB |
| 封装/外壳 | TO-271AA |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 7.2V |
| 电压-额定 | 20V |
| 电流-测试 | 500mA |
| 频率 | 520MHz |
| 额定电流 | 3A |
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