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  • 型号: PD55025STR-E
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PD55025STR-E由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD55025STR-E价格参考。STMicroelectronicsPD55025STR-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PD55025STR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PD55025STR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics(意法半导体)的PD55025STR-E是一款射频MOSFET晶体管,主要用于高频信号处理和功率放大器应用。以下是该型号的主要应用场景:

1. 射频功率放大器:  
   PD55025STR-E适用于无线通信系统中的射频功率放大器设计,例如对讲机、业余无线电设备和其他需要高效射频信号放大的场景。

2. 工业、科学和医疗(ISM)频段:  
   该器件可在ISM频段(如433 MHz、868 MHz、915 MHz等)中工作,广泛应用于无线传感器网络、RFID读卡器和工业无线通信设备。

3. 短距离无线通信:  
   在低功耗广域网(LPWAN)或短距离无线通信设备中,如Zigbee、LoRa或Sigfox模块,这款MOSFET可以提供高效的射频功率输出。

4. 调制解调器和发射机:  
   用于设计小型化、高效率的调制解调器和发射机,特别是在需要稳定输出功率和低失真的场合。

5. 测试与测量设备:  
   在射频测试仪器中,如信号发生器或频谱分析仪,PD55025STR-E可用于生成和处理高质量的射频信号。

6. 汽车电子:  
   在汽车行业中,该器件可用于车载无线通信系统,例如远程无钥匙进入系统(RKE)、胎压监测系统(TPMS)以及紧急呼叫系统。

7. 卫星通信和GPS设备:  
   支持低噪声和高线性度的射频信号传输,适用于卫星通信终端和GPS模块的设计。

总结来说,PD55025STR-E凭借其出色的射频性能,适合各种需要高效射频功率输出和低失真特性的应用场景,特别是在无线通信、工业自动化和消费类电子产品领域中发挥重要作用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10

产品分类

RF FET

品牌

STMicroelectronics

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

PD55025STR-E

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

PowerSO-10RF(直引线)

功率-输出

25W

包装

带卷 (TR)

噪声系数

-

增益

14.5dB

封装/外壳

PowerSO-10 裸露底部焊盘

晶体管类型

LDMOS

标准包装

600

电压-测试

12.5V

电压-额定

40V

电流-测试

200mA

频率

500MHz

额定电流

7A

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