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Datasheet下载- 型号： MRF6V4300NBR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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MRF6V4300NBR5产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6V4300NBR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6V4300NBR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6V4300NBR5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 50V 900mA 450MHz 22dB 300W TO-272 WB-4。您可以下载MRF6V4300NBR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6V4300NBR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MRF6V4300NBR5的晶体管由NXP USA Inc.生产，属于射频MOSFET类别，主要用于射频功率放大应用。该器件特别适用于蜂窝通信基站、广播系统、工业和医疗射频设备等需要高功率和高稳定性的场景。 MRF6V4300NBR5可在30 MHz至4 GHz的频率范围内工作，具备良好的线性度和效率，适合多频段、多标准基站设备使用，如GSM、WCDMA、LTE等通信标准。其高耐用性和热稳定性也使其在恶劣环境下仍能保持稳定运行，因此广泛应用于无线基础设施领域。 此外，该器件还可用于射频测试设备、雷达系统和广播发射机等专业设备中，作为高效能的射频功率放大元件。由于其封装设计便于散热和集成，也适合高密度电路设计和高可靠性系统使用。 总之，MRF6V4300NBR5广泛应用于现代通信基础设施及其他高性能射频系统中，发挥着关键的功率放大作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 50V TO-272-4射频MOSFET晶体管 VHV6 300W Latrl N-Ch SE Broadband MOSFET |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MRF6V4300NBR5- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MRF6V4300NBR5 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 110 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 110 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.4 V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-272 WB-4 |
| 其它名称 | MRF6V4300NBR5TR |
| 功率-输出 | 300W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 2 g |
| 商标 | Freescale Semiconductor |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 22 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-272BB |
| 封装/箱体 | TO-270-4 WB |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 110 V |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 系列 | MRF6V4300N |
| 输出功率 | 300 W |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 10 V |
| 频率 | 600 MHz |
| 额定电流 | 2.5mA |
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