Datasheet下载- 型号： BLF6G22LS-40P,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G22LS-40P,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G22LS-40P,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G22LS-40P,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G22LS-40P,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G22LS-40P,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF6G22LS-40P,112 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET 类型，专为高频、高功率射频应用设计。以下是该型号的主要应用场景： 1. 无线通信系统 - 基站放大器：适用于 GSM、CDMA、LTE 等蜂窝通信系统的射频功率放大器（RFPA）。该器件能够在高频段提供高效率和高增益，满足基站对信号放大的需求。 - 中继器：用于增强信号覆盖范围的射频中继设备，确保信号传输质量。 2. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域 - 射频能量应用：如射频加热、等离子体生成、焊接和干燥等。这些应用需要高效的射频功率输出，BLF6G22LS-40P 可以在特定频率范围内提供稳定的性能。 3. 广播和导航 - 调频广播发射机：用于 FM 广播系统中的射频功率放大，确保信号覆盖范围广且清晰。 - 航空导航设备：如 VHF 通信和导航系统，需要高可靠性和稳定性的射频功率输出。 4. 测试与测量设备 - 信号发生器和分析仪：在研发和生产过程中，用于测试射频电路和设备的性能。BLF6G22LS-40P 提供的高线性度和低失真特性使其非常适合此类应用。 5. 军事和航空航天 - 雷达系统：用于脉冲或连续波雷达系统中的射频功率放大，支持目标探测和跟踪功能。 - 卫星通信：在地面站设备中，用于上行链路信号的放大，确保信号能够有效传输到卫星。 技术特点 - 工作频率范围：适合高频应用，通常在几十 MHz 到几 GHz 的范围内。 - 高功率输出：能够在射频条件下提供高达数十瓦的功率输出。 - 高效率和可靠性：采用先进的半导体工艺制造，确保在恶劣环境下仍能保持稳定性能。 综上所述，BLF6G22LS-40P,112 主要应用于需要高效、高功率射频放大的场景，广泛服务于通信、工业、医疗、广播和国防等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1121B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF6G22LS-40P,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM4 |
| 其它名称 | 934065326112 |
| 功率-输出 | 13.5W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19dB |
| 封装/外壳 | SOT-1121B |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | - |
| 电流-测试 | 410mA |
| 频率 | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| 额定电流 | - |
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