Datasheet下载- 型号： AFT20P140-4WNR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AFT20P140-4WNR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AFT20P140-4WNR3价格参考。Freescale SemiconductorAFT20P140-4WNR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载AFT20P140-4WNR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AFT20P140-4WNR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
AFT20P140-4WNR3 是 NXP USA Inc. 生产的一款射频功率 MOSFET 晶体管，主要用于射频（RF）功率放大应用。该器件适用于工作频率在 UHF（特高频）至微波频段范围内的无线通信系统，常用于广播、工业、科学和医疗（ISM）频段设备中。 典型应用场景包括： 1. 无线通信基站：用于蜂窝网络（如4G LTE、5G）中的射频功率放大器模块，提升信号传输距离和稳定性； 2. 广播发射设备：如FM广播、电视广播中的射频放大系统； 3. 工业与测试设备：如射频加热、等离子体发生器、信号发生器等需要高功率射频输出的设备； 4. 雷达与航空航天系统：用于短距离雷达、导航系统中的射频发射部分； 5. 军事与国防通信：在高可靠性要求的军用通信和电子战系统中作为功率放大元件。 该器件具有高增益、高效率和良好的热稳定性，适合在高功率密度环境下工作，采用表面贴装封装，便于集成到现代射频电路中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF 2GHZ 24W OM780-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | AFT20P140-4WNR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | OM780-4 |
| 功率-输出 | 24W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.8dB |
| 封装/外壳 | OM780-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28VDC |
| 电压-额定 | 65VDC |
| 电流-测试 | 500mA |
| 频率 | 1.88GHz ~ 2.03GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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