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Datasheet下载- 型号： RFM08U9X(TE12L,Q)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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RFM08U9X(TE12L,Q)产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RFM08U9X(TE12L,Q)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RFM08U9X(TE12L,Q)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RFM08U9X(TE12L,Q)封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道 9.6V 50mA 520MHz 11.7dB 7.5W PW-X。您可以下载RFM08U9X(TE12L,Q)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RFM08U9X(TE12L,Q) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 RFM08U9X(TE12L,Q) 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌射频 MOSFET 晶体管，主要应用于 高频射频功率放大 场景。该器件适用于工作频率在 UHF（特高频）至微波频段的无线通信系统，如： 1. 无线基站：用于移动通信基站中的射频功率放大模块，提升信号传输距离与稳定性； 2. 广播设备：适用于调频广播、数字电视广播等发射设备中的射频放大； 3. 工业通信设备：如工业无线遥控、遥测系统中作为射频信号放大元件； 4. 测试与测量设备：用于射频信号发生器、频谱分析仪等设备中的功率放大模块； 5. 雷达系统：适用于短距离雷达或探测设备中的射频功率输出级。 该器件具有高增益、低失真、良好热稳定性的特点，适合在高频率、中等功率条件下工作，是射频通信系统中关键的有源器件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH PW-X |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RFM08U9X(TE12L,Q) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PW-X |
| 其它名称 | RFM08U9X(TE12LQ)DKR |
| 功率-输出 | 7.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 11.7dB |
| 封装/外壳 | TO-271AA |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 9.6V |
| 电压-额定 | 36V |
| 电流-测试 | 50mA |
| 频率 | 520MHz |
| 额定电流 | 5A |
