Datasheet下载- 型号： BLF7G27LS-100,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G27LS-100,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G27LS-100,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G27LS-100,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF7G27LS-100,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G27LS-100,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLF7G27LS-100,118 是一款高功率 GaN（氮化镓）MOSFET 晶体管，专为射频（RF）功率放大应用设计。该器件主要应用于 27MHz 至 1GHz 频率范围内的无线通信系统中，特别适用于基站、广播发射机和工业、科学及医疗（ISM）频段设备。 该器件具有高效率、高增益和高耐用性，适合用于4G/5G蜂窝通信基站的射频功率放大器模块，支持多种调制格式，如OFDM和QAM，适应现代通信对高数据速率和频谱效率的要求。此外，BLF7G27LS-100,118 也可用于数字广播（如DVB-T、DAB）和模拟电视发射系统中的功率放大环节。 由于其高热稳定性和优异的抗失配能力，该MOSFET在恶劣工作条件下仍能保持稳定运行，因此也被广泛应用于需要高可靠性和高输出功率的工业和军事通信设备中。 总结来说，BLF7G27LS-100,118 的主要应用场景包括： - 无线基站射频功率放大器 - 广播发射机（TV、FM、DAB） - ISM频段设备 - 工业与通信测试设备 - 高可靠性军用通信系统
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF7G27LS-100,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934064592118 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 2.6GHz ~ 2.7GHz |
| 额定电流 | - |
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