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- 型号： MAGX-001090-600L00
- 制造商： M/A-COM
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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MAGX-001090-600L00产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MAGX-001090-600L00由M/A-COM设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MAGX-001090-600L00价格参考。M/A-COMMAGX-001090-600L00封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet HEMT 50V 600mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 21.3dB 600W 。您可以下载MAGX-001090-600L00参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MAGX-001090-600L00 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
M/A-Com Technology Solutions（现为MACOM）的MAGX-001090-600L00是一款硅基射频MOSFET晶体管，主要用于射频功率放大器设计。其应用场景包括： 1. 无线通信系统：适用于蜂窝基站、微波回传、Wi-Fi 6等通信设备中的射频功率放大器，提供高效率和线性放大能力，满足5G通信对高频和高数据吞吐量的需求。 2. 广播系统：用于FM广播、电视广播等发射设备中，作为高效能射频功率放大元件，确保信号稳定传输。 3. 工业与医疗设备：在射频加热、等离子体发生、医疗成像等设备中作为功率控制元件，提供稳定和可控的射频能量输出。 4. 测试与测量仪器：用于射频信号发生器、功率放大器模块等测试设备中，为研发和生产提供精确的射频信号支持。 5. 航空航天与国防：在雷达、电子战系统和卫星通信中，用于构建高可靠性、高频率的射频发射模块。 该器件工作频率覆盖DC至6 GHz，具备良好的热稳定性和高可靠性，适合在复杂电磁环境和工业级温度范围内运行。其封装形式便于散热和集成，广泛适用于需要中等射频功率放大的多种高性能应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR GAN 600W |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | M/A-Com Technology Solutions |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MAGX-001090-600L00 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | - |
| 其它名称 | 1465-1085 |
| 功率-输出 | 600W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 21.3dB |
| 封装/外壳 | - |
| 晶体管类型 | HEMT |
| 标准包装 | 5 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 600mA |
| 频率 | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| 额定电流 | 82A |
