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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PD85025S-E
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD85025S-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD85025S-E价格参考。STMicroelectronicsPD85025S-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PD85025S-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD85025S-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD85025S-E是一款射频MOSFET晶体管，主要用于射频功率放大器应用。该器件适用于无线通信基础设施、基站设备、工业和医疗射频系统等场景。 PD85025S-E工作频率范围较宽，具备高增益和良好的线性性能，适合用于4G/5G蜂窝通信系统的主功率放大器或驱动放大器。其高效率特性也使其在需要节能运行的通信设备中表现优异。 此外，该器件也可应用于广播系统（如调频广播和电视发射机）、雷达系统以及测试与测量设备中的射频信号放大环节。 综上，PD85025S-E的主要应用场景包括：5G基站、无线接入网设备、射频测试仪器、广播发射装置及工业控制中的高频功率放大场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF POWER LDMOST N-CH |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PD85025S-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PowerSO-10RF（直引线） |
| 其它名称 | 497-8298 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1821/PF178219?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.3dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 13.6V |
| 电压-额定 | 40V |
| 电流-测试 | 300mA |
| 频率 | 870MHz |
| 额定电流 | 7A |
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