Datasheet下载- 型号： MRF6S21100HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S21100HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S21100HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S21100HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S21100HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S21100HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S21100HR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 2.1 GHz 频段（如 2110–2170 MHz）设计，典型应用包括蜂窝通信基站中的宏蜂窝和微蜂窝功率放大器。该器件支持高输出功率（典型100 W连续波）、高增益（约18 dB）和高漏极效率（>60%），适用于WCDMA、LTE FDD 和 5G Sub-6 GHz 前传/中传等多载波宽带系统。其集成ESD保护、高可靠性封装（Ceramic Flange-Mount，HR3）及优异的热稳定性，使其广泛用于4G/5G基站发射链路、远程无线电单元（RRU）、直放站及专业无线通信设备中的末级功率放大模块。此外，该器件符合RoHS标准，支持工业级工作温度（−40°C 至 +150°C），适用于高可靠性、长时间连续运行的通信基础设施场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S21100HR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 23W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.9dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 950mA |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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