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产品简介:
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BLF8G20LS-200V,112 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频晶体管,属于 FET(场效应晶体管)和 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。该型号专为高频和高功率应用设计,主要应用于射频功率放大器领域。以下是其典型应用场景: 1. 无线通信 - BLF8G20LS-200V,112 常用于无线通信基站中的射频功率放大器,支持如 GSM、CDMA、WCDMA 和 LTE 等通信标准。 - 它能够提供高效的功率输出,适用于移动通信网络中的信号传输。 2. 广播系统 - 在 AM/FM 广播系统中,这款晶体管可用于驱动高功率射频放大器,确保广播信号的覆盖范围广且质量稳定。 3. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域 - 该晶体管适合用于 ISM 频段的应用,例如微波加热设备、等离子体发生器和医疗设备中的射频能量源。 4. 航空航天与国防 - 在雷达系统中,BLF8G20LS-200V,112 可作为功率放大器的核心组件,用于提高信号强度和探测距离。 - 还可应用于卫星通信和导航系统中的射频模块。 5. 测试与测量设备 - 用于高性能信号发生器或频谱分析仪中,提供稳定的射频功率输出以满足精密测试需求。 技术特点: - 高电压耐受性:200V 的额定电压使其能够在高压环境下可靠运行。 - 高效率:优化的射频性能确保低功耗和高效能转换。 - 宽带能力:适用于多种频率范围,灵活性强。 总之,BLF8G20LS-200V,112 凭借其卓越的射频性能和可靠性,广泛应用于需要高功率、高效率射频放大的场景中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANSISTOR RF POWER 200W ACC-6L |
产品分类 | RF FET |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | BLF8G20LS-200V,112 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | CDFM6 |
其它名称 | 934066525112 |
功率-输出 | 55W |
包装 | 散装 |
噪声系数 | - |
增益 | 17.5dB |
封装/外壳 | SOT-1120B |
晶体管类型 | LDMOS |
标准包装 | 20 |
电压-测试 | 28V |
电压-额定 | 65V |
电流-测试 | 1.6A |
频率 | 1.8GHz ~ 1.88GHz |
额定电流 | - |