Datasheet下载- 型号： BLF8G10LS-300PU
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G10LS-300PU由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G10LS-300PU价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G10LS-300PU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G10LS-300PU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G10LS-300PU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
品牌为Ampleon USA Inc.、型号为BLF8G10LS-300PU的器件属于射频场效应晶体管（RF FET），具体为MOSFET类型。该器件主要应用于高功率射频放大器中，适用于广播、通信和工业等领域。 在广播领域，BLF8G10LS-300PU可用于DVB-T、FM和数字音频广播（DAB）等发射系统中的射频功率放大模块，提供高效稳定的信号放大能力。在通信领域，它适用于蜂窝基站、无线基础设施以及宽带通信系统中的高功率放大器设计，支持多种调制格式并提升传输效率。 此外，该器件还可用于工业与科学设备，如射频加热装置、医疗设备以及测试测量仪器中的射频功率源。其高可靠性、高输出功率和良好的热稳定性使其适合在严苛环境中运行。 综上所述，BLF8G10LS-300PU广泛应用于广播、通信及工业等多个领域的射频功率放大场景，满足高性能与高稳定性的需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF 300W LDMOS SOT539B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF8G10LS-300PU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT539B |
| 其它名称 | 934068218112 |
| 功率-输出 | 65W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20.5dB |
| 封装/外壳 | SOT539B |
| 晶体管类型 | LDMOS （双）， 共源 |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 2A |
| 频率 | 760.5MHz ~ 800.5MHz |
| 额定电流 | - |
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