【未分类_STAC2942B】封装/厂家_STAC2942B中文资料_价格

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型号： STAC2942B
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STAC2942B由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STAC2942B价格参考。STMicroelectronicsSTAC2942B封装/规格：未分类，暂无。您可以下载STAC2942B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STAC2942B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的型号STAC2942B是一款射频（RF）MOSFET晶体管，主要用于射频功率放大器和开关应用。以下是其主要应用场景：

1. 射频功率放大器：  
   STAC2942B适用于广播、通信和其他射频系统中的功率放大器设计。它能够在高频段（如FM频段）提供高效的功率输出，适合广播电视发射机或业余无线电设备。

2. 射频开关：  
   该器件可以用于射频信号的切换，例如在多频段通信设备中实现不同频率之间的快速切换。其低导通电阻和高线性度特性使其非常适合此类应用。

3. 工业与科学应用：  
   在需要射频能量的工业和科学领域（如等离子体生成、材料加热或无线能量传输），STAC2942B可作为核心功率元件，提供稳定的射频输出。

4. 汽车电子：  
   在某些车载通信系统或远程信息处理模块中，该器件可用于射频信号的放大或切换，支持车辆与外部网络之间的高效数据传输。

5. 测试与测量设备：  
   用于射频测试仪器（如信号发生器或频谱分析仪）中，以确保设备能够处理宽范围的射频信号并保持高精度。

6. 无线通信基础设施：  
   在基站或其他无线通信设备中，STAC2942B可以用作射频功率放大器的一部分，帮助提高信号覆盖范围和传输效率。

总之，STAC2942B凭借其优异的射频性能和可靠性，广泛应用于需要高效射频功率处理的各种场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B射频MOSFET晶体管 POWER R.F.
产品分类	RF FET分离式半导体
Id-ContinuousDrainCurrent	40 A
Id-连续漏极电流	40 A
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,STMicroelectronics STAC2942B-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	STAC2942B
Pd-PowerDissipation	625 W
Pd-功率耗散	625 W
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	130 V
Vds-漏源极击穿电压	130 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	+/- 20 V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	射频MOSFET晶体管
供应商器件封装	STAC244F
其它名称	497-8765
功率-输出	450W
功率耗散	625 W
包装	托盘
商标	STMicroelectronics
噪声系数	-
增益	-
安装风格	SMD/SMT
封装	Bulk
封装/外壳	STAC244F
封装/箱体	STAC-244B
工厂包装数量	20
晶体管极性	N-Channel
晶体管类型	N 通道
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 65 C
标准包装	20
正向跨导-最小值	5 S
汲极/源极击穿电压	130 V
漏极连续电流	40 A
特色产品	http://www.digikey.com/cn/zh/ph/st/stac.html
电压-测试	50V
电压-额定	130V
电流-测试	250mA
类型	N
系列	STAC2942B
输出功率	450 W
配置	Dual
闸/源击穿电压	+/- 20 V
频率	175MHz
额定电流	40A