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- 型号： BLF7G27L-90P,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G27L-90P,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G27L-90P,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G27L-90P,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF7G27L-90P,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G27L-90P,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLF7G27L-90P,118 是一款高性能射频功率MOSFET晶体管，主要用于工作频率在2.5 GHz至2.7 GHz范围的无线通信系统。该器件基于先进的LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）技术，具备高增益、高效率和出色的热稳定性，适用于高强度射频功率放大的应用场景。 其主要应用包括：陆地移动无线电（如公共安全通信、应急通信系统）、工业与商业无线基础设施、广播传输设备以及军用和民用雷达系统。此外，BLF7G27L-90P也广泛用于4G LTE和5G基站中的功率放大器模块，尤其是在需要高输出功率（可达90W）和高线性度的宏蜂窝基站中表现优异。 该器件采用紧凑的封装设计，具有良好的散热性能，适合在高温、高负载环境下长期稳定运行。其高可靠性和强抗驻波比能力使其在复杂电磁环境中仍能保持出色性能，因此被广泛应用于对系统稳定性要求较高的关键通信场景。 总之，BLF7G27L-90P,118是一款面向现代无线通信基础设施的核心射频功率器件，特别适用于高功率、高频段的基站发射系统和专业射频设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS SOT1121A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF7G27L-90P,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM4 |
| 其它名称 | 934064498118 |
| 功率-输出 | 16W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-1121A |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 720mA |
| 频率 | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| 额定电流 | 18A |
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