Datasheet下载- 型号： ATF-34143-BLKG
- 制造商： Avago Technologies
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-34143-BLKG由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-34143-BLKG价格参考。Avago TechnologiesATF-34143-BLKG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ATF-34143-BLKG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ATF-34143-BLKG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ATF-34143-BLKG是Broadcom Limited推出的一款高性能砷化镓（GaAs）增强型伪形貌高电子迁移率晶体管（pHEMT），属于射频MOSFET晶体管类别。该器件专为低噪声、高增益的射频放大应用设计，广泛应用于无线通信系统中。 其典型应用场景包括：无线局域网（WLAN）、5GHz和2.4GHz频段的Wi-Fi接入点与路由器、宽带射频放大器、低噪声放大器（LNA）以及便携式和固定式无线终端设备。由于具备极低的噪声系数（典型值0.45dB@2.4GHz）和高增益（约16dB），ATF-34143-BLKG在接收链路前端表现优异，有助于提升信号灵敏度和系统整体性能。 此外，该器件支持直流至6GHz的工作频率范围，适用于多频段射频设计，同时采用小型化封装（SOT-323），节省PCB空间，适合高密度布局的现代通信模块。其增强型设计允许使用单正电源供电，简化了偏置电路设计，提高了系统可靠性。 综上，ATF-34143-BLKG特别适用于对噪声性能和增益要求较高的高频无线通信系统，是现代高性能射频前端放大器的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IC PHEMT 1.9GHZ 60MA LN SOT-343射频JFET晶体管 Transistor GaAs Low Noise |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 145 mA |
| Id-连续漏极电流 | 145 mA |
| 品牌 | Avago Technologies |
| 产品手册 | http://www.avagotech.com/pages/en/rf_microwave/transistors/fet/atf-34143/ |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies ATF-34143-BLKG- |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-1283EN |
| P1dB | 20 dBm |
| 产品型号 | ATF-34143-BLKG |
| PCN组件/产地 | http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B |
| Pd-PowerDissipation | 725 mW |
| Pd-功率耗散 | 725 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 5.5 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 5.5 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 5 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 5 V |
| 产品 | RF JFET |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Transistor |
| 供应商器件封装 | SOT-343 |
| 其它名称 | 516-1863 |
| 功率-输出 | 20dBm |
| 功率耗散 | 725 mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Avago Technologies |
| 噪声系数 | 0.5 dB |
| 增益 | 17.5 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 封装/箱体 | SOT-343 |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 技术 | GaAs |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | pHEMT |
| 最大工作温度 | + 160 C |
| 标准包装 | 100 |
| 正向跨导-最小值 | 230 mmho |
| 漏极连续电流 | 145 mA |
| 漏源电压VDS | 5.5 V |
| 电压-测试 | 4V |
| 电压-额定 | 5.5V |
| 电流-测试 | 60mA |
| 类型 | GaAs pHEMT |
| 配置 | Single Dual Source |
| 闸/源击穿电压 | - 5 V |
| 频率 | 2 GHz |
| 额定电流 | 145mA |
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