Datasheet下载- 型号： BLF8G27LS-100PJ
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G27LS-100PJ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G27LS-100PJ价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G27LS-100PJ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G27LS-100PJ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G27LS-100PJ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF8G27LS-100PJ 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款高性能射频功率 MOSFET 晶体管，主要应用于高频率、高功率的射频放大场景。该器件工作频段覆盖 L 波段至 S 波段（约 2.5–2.7 GHz），具备出色的输出功率能力（连续波输出可达100W以上）、高效率和良好的热稳定性，适合在高负载环境下长期稳定运行。 其典型应用场景包括：陆地移动通信基站、工业加热设备、射频能量应用、等离子发生器以及广播与专业无线通信系统中的射频功率放大级。此外，该器件也广泛用于军用雷达、电子对抗系统和航空通信等对可靠性要求较高的领域。 BLF8G27LS-100PJ 采用先进的硅基LDMOS工艺制造，支持高增益和优异的线性度，配合集成的片内匹配网络，简化了外部电路设计，提升了系统集成度与整体性能。其封装形式为陶瓷金属封装（Ceramic Metal Package），具有良好的散热性能和机械强度，适用于严苛的工作环境。 总之，BLF8G27LS-100PJ 是一款专为高功率射频放大设计的可靠器件，广泛服务于通信、工业及国防等关键领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS 100W LDMOS CDFM4 SOT1121B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF8G27LS-100PJ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM4 |
| 其它名称 | 934067466118 |
| 功率-输出 | 25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18dB |
| 封装/外壳 | SOT-1121B |
| 晶体管类型 | LDMOS （双）， 共源 |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 860mA |
| 频率 | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| 额定电流 | 1.4µA |
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