Datasheet下载- 型号： BLS6G2933S-130,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLS6G2933S-130,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLS6G2933S-130,112价格参考。NXP SemiconductorsBLS6G2933S-130,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLS6G2933S-130,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLS6G2933S-130,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLS6G2933S-130,112 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款高性能射频 MOSFET 晶体管，主要应用于高功率射频放大系统。该器件工作频率范围宽（典型用于 70–1000 MHz），具备高增益、高效率和优异的热稳定性，适合在大功率广播发射机中使用。 其典型应用场景包括调频（FM）广播发射机和电视广播（DVB-T、ATSC）发射系统，尤其适用于输出功率在数千瓦级别的地面广播基础设施。此外，该器件也广泛用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量应用，如等离子体生成、射频加热和材料处理设备。 BLS6G2933S-130,112 采用先进的 LDMOS 技术，支持高电压（50V 工作电压）操作，具有良好的耐用性和抗负载失配能力，可在复杂电磁环境中稳定运行。其封装设计便于散热，适用于风冷或水冷散热系统，确保长时间连续工作的可靠性。 由于其出色的线性度和功率处理能力，该器件也适用于某些高要求的通用射频放大场合，如公共安全通信基站和高功率业余无线电设备。总体而言，BLS6G2933S-130,112 是现代高功率模拟射频放大系统中的关键组件，特别适合对稳定性和能效有严苛要求的广播与工业领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS S-BAND RADAR LDMOS SOT922 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLS6G2933S-130,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM2 |
| 其它名称 | 934063208112 |
| 功率-输出 | 130W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 12.5dB |
| 封装/外壳 | SOT922-1 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 32V |
| 电压-额定 | 60V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 2.9GHz ~ 3.3GHz |
| 额定电流 | 33A |
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