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详细数据请看参考数据手册
- 型号： LET16045C
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供LET16045C由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 LET16045C价格参考。STMicroelectronicsLET16045C封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载LET16045C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有LET16045C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的LET16045C是一款射频MOSFET晶体管，主要用于高频信号处理和功率放大应用。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 射频功率放大器 - LET16045C适用于设计射频功率放大器，特别是在广播通信、工业科学医疗（ISM）频段以及业余无线电领域。 - 其高频率特性和良好的增益性能使其成为短波和甚高频（VHF）应用的理想选择。 2. 无线通信系统 - 在无线通信设备中，如对讲机、基站和移动通信设备中，该器件可用于信号放大和传输。 - 支持高效的射频信号调制与解调，确保稳定的通信质量。 3. 工业与医疗设备 - 在工业领域，LET16045C可用于非接触式传感器、RF加热设备和其他需要射频能量的应用。 - 医疗设备中，例如射频治疗仪或诊断设备，该器件可提供精确的射频功率控制。 4. 测试与测量仪器 - 用于射频信号发生器、频谱分析仪等测试设备中，提供稳定的射频信号输出和放大功能。 - 其低噪声特性和宽频率范围有助于提高测量精度。 5. 业余无线电爱好者项目 - 由于其高性能和易用性，LET16045C常被业余无线电爱好者用于自制发射机、接收机或其他射频实验项目。 6. 物联网（IoT）设备 - 在低功耗、长距离通信的物联网设备中，该器件可用于射频信号的增强和传输，支持LoRa、Sigfox等技术。 总结 LET16045C凭借其出色的射频性能、宽频率覆盖范围和高可靠性，广泛应用于通信、工业、医疗和消费电子等领域。具体使用时需根据实际需求搭配合适的电路设计和外围元件，以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IC RF TRANS LDMOST N-CH M243射频MOSFET晶体管 RF PWR Trans LdMOST N-Ch 45W 16dB 1600 |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9 A |
| Id-连续漏极电流 | 9 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,STMicroelectronics LET16045C- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | LET16045C |
| Pd-PowerDissipation | 100 W |
| Pd-功率耗散 | 100 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | RF Power Transistor |
| 供应商器件封装 | M243 |
| 其它名称 | 497-13096 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1822/PF252552?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 45W |
| 功率耗散 | 100 W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | M243 |
| 封装/箱体 | M243 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 技术 | LDMOS |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | LDMOS Power |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 25 |
| 汲极/源极击穿电压 | 80 V |
| 漏极连续电流 | 9 A |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 80V |
| 电流-测试 | 400mA |
| 类型 | N Channel MOSFET |
| 系列 | LET16045 |
| 输出功率 | 45 W |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 15 V |
| 频率 | 1.6 GHz |
| 额定电流 | 9A |
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