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  • 型号: CGH40090PP
  • 制造商: Cree
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CGH40090PP由Cree设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CGH40090PP价格参考。CreeCGH40090PP封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CGH40090PP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CGH40090PP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Cree/Wolfspeed的CGH40090PP是一款基于碳化硅(SiC)技术的射频功率MOSFET晶体管,广泛应用于高频、高功率的射频场景。以下是其主要应用场景:

1. 无线通信基础设施  
   CGH40090PP适用于基站功放(PA)设计,尤其是下一代5G通信系统中的高频段应用。其高效率和宽带性能能够支持更高的数据传输速率,并减少系统的热损耗。

2. 航空航天与国防  
   在雷达系统中,这款器件可用于S波段或X波段的固态功率放大器(SSPA),提供高增益和可靠性。此外,它还适用于电子战设备、卫星通信以及导航系统中的射频功率模块。

3. 工业科学医疗(ISM)领域  
   该产品适合用于磁控管替代方案,例如家用微波炉或其他需要连续波(CW)输出的应用。相比传统技术,CGH40090PP可以显著提高能效并缩小系统尺寸。

4. 测试测量仪器  
   高性能矢量信号发生器和脉冲信号源可能采用此类器件来实现更宽的工作带宽及更高的线性度要求。

5. 广播发射机  
   对于电视和调频广播等大功率射频发射设备来说,这款MOSFET有助于构建高效稳定的功率放大链路。

总结而言,CGH40090PP凭借其出色的射频性能、耐高温特性和紧凑封装形式,在众多需要高性能射频功率处理能力的场合发挥着重要作用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS 90W RF GAN HEMT 440199 PKG

产品分类

RF FET

品牌

Cree Inc

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

CGH40090PP

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

440199

其它名称

CGH40090PPE

功率-输出

100W

包装

管件

噪声系数

-

增益

12.5dB

封装/外壳

440199

晶体管类型

HEMT

标准包装

24

电压-测试

28V

电压-额定

84V

电流-测试

1A

配用

/product-detail/zh/CGH40090PP-TB/CGH40090PP-TB-ND/1944147

频率

0Hz ~ 4GHz

额定电流

28A

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