Datasheet下载- 型号： BLL6H0514-25,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLL6H0514-25,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLL6H0514-25,112价格参考￥832.95-￥1100.12。NXP SemiconductorsBLL6H0514-25,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLL6H0514-25,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLL6H0514-25,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的BLL6H0514-25,112是一款高性能射频MOSFET晶体管，适用于高功率射频放大应用。该器件基于LDMOS技术，工作频率覆盖HF至VHF/UHF波段，典型应用于广播发射机、工业加热系统和专业通信设备中。在AM/FM广播发射机中，它可作为主功放级，提供高效率与优异的线性性能，支持大范围信号覆盖。此外，该器件也广泛用于等离子体生成、感应加热和射频能量应用，因其具备高耐压、高增益和良好的热稳定性，可在严苛环境下稳定运行。BLL6H0514-25,112采用紧凑的封装设计，便于集成到高密度射频模块中，同时支持高驻波比（VSWR）耐受能力，增强了系统可靠性。其主要优势包括高输出功率（可达数百瓦）、高效率和出色的互调失真性能，适合对信号质量和能效要求较高的场景。总体而言，该MOSFET是专业射频功率放大领域的理想选择，尤其适用于需要连续波（CW）或高调制信号输出的工业与通信系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR LDMOS DRIVER SOT467C |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLL6H0514-25,112 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 568-7556 |
| 功率-输出 | 25W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 21dB |
| 封装/外壳 | SOT467C |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 100V |
| 电流-测试 | 50mA |
| 频率 | 1.2GHz |
| 额定电流 | 2.5A |
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